BKITEC cung cấp MOSFET, IGBT và linh kiện công suất chính hãng, có chứng từ CO/CQ đầy đủ. Trong thực tế sửa chữa và kiểm tra nhanh, kỹ sư thường dùng VOM (đồng hồ vạn năng) ở chế độ Diode Test để đánh giá sơ bộ tình trạng linh kiện. Bài viết hướng dẫn nguyên lý và các bước đo áp dụng cho MOSFET và IGBT, kèm hình minh họa.

1. Tổng quan nguyên lý cần biết

MOSFET kênh N/P là linh kiện điều khiển bằng điện áp ở chân G (Gate). MOSFET có diode nội tại giữa Drain–Source, là cơ sở để nhận biết khi đo bằng VOM. IGBT kết hợp điều khiển dạng MOSFET với vùng dẫn kiểu BJT, có diode chống song song giữa Collector–Emitter (tùy cấu trúc). Khi kiểm tra bằng VOM, ta tận dụng đặc tính diode nội tại và khả năng nạp/xả điện tích cổng G để quan sát trạng thái đóng/ngắt.

2. Kiểm tra MOSFET bằng VOM

2.1. Chuẩn bị

• Đồng hồ vạn năng (Digital Multimeter), chọn chế độ Diode Test.
• Xác định chân G–D–S theo datasheet (tránh nhầm thứ tự).
• Khử tĩnh điện trước khi chạm vào chân G (MOSFET rất nhạy ESD).

2.2. Các bước đo

1. Nhận biết diode nội tại D–S: đặt que đỏ ( + ) vào D, que đen ( – ) vào S. VOM hiển thị sụt áp khoảng 0.4–0.7V (tùy loại), đảo chiều sẽ không dẫn (OL).
2. Nạp điện cho G: chạm ngắn G với D (hoặc thao tác nạp khác theo thói quen) để “mở” MOSFET. Sau đó đo lại D–S có thể thấy dẫn hơn (tùy VOM và linh kiện).
3. Xả G về S: chạm G–S để xả điện tích cổng → MOSFET “tắt” trở lại.

2.3. Nhận biết lỗi thường gặp

• Chập D–S: đo thông mạch (≈0 Ω) theo cả hai chiều → MOSFET hỏng.
• Rò rỉ: điện trở ngược thấp bất thường → nguy cơ hỏng/già hóa.
• Không điều khiển được bằng G: nạp/xả G không làm thay đổi trạng thái → nghi hỏng cổng G.

3. Kiểm tra IGBT bằng VOM

3.1. Chuẩn bị

• Đặt VOM ở chế độ Diode Test.
• Xác định chân G–C–E theo datasheet (lưu ý các module IGBT có bố trí chân khác nhau).
• Xả tĩnh điện trước khi thao tác với chân G.

3.2. Các bước đo

1. Nhận biết diode chống song song C–E: đo C–E sẽ thấy sụt áp diode theo một chiều (khoảng 0.4–0.7V), đảo chiều sẽ không dẫn (OL). Lưu ý hướng diode tùy cấu trúc IGBT/module.
2. Nạp G để kích dẫn: chạm G với C (hoặc thao tác nạp thích hợp) để IGBT chuyển sang trạng thái dẫn (tùy linh kiện, phép thử bằng VOM chỉ mang tính sơ bộ).
3. Xả G về E: chạm G–E để IGBT ngắt; đo lại C–E hai chiều ngoài hướng diode → không dẫn.

3.3. Nhận biết lỗi thường gặp

• Chập C–E: đo thông mạch theo cả hai chiều → IGBT hỏng.
• Rò rỉ cao: điện trở ngược thấp bất thường → chất lượng suy giảm.
• Gate hỏng: nạp/xả không ảnh hưởng trạng thái dẫn/ngắt.

4. Lưu ý quan trọng khi kiểm tra

• VOM chỉ kiểm tra sơ bộ: để đánh giá đặc tính động (tốc độ đóng cắt, sóng hài, tổn hao), cần dùng driver gate, nguồn thử, tải giả và máy hiện sóng.
• ESD: MOSFET/IGBT rất nhạy tĩnh điện, hãy đeo vòng chống tĩnh và thao tác trên bề mặt ESD-safe.
• So sánh với datasheet: sụt áp diode, cực tính và bố trí chân có thể khác nhau giữa các hãng/model.
• Module công suất lớn: một số module tích hợp nhiều diode/IGBT song song, cần đối chiếu sơ đồ nội bộ.

5. Kết luận

Kiểm tra MOSFET và IGBT bằng VOM là bước nhanh và hữu ích để sàng lọc linh kiện lỗi trước khi lắp ráp hoặc sửa chữa. Tuy nhiên, để xác nhận đầy đủ khả năng làm việc trong hệ thống công suất cao, cần thử nghiệm với driver chuyên dụng và tải thực. BKITEC sẵn sàng tư vấn lựa chọn linh kiện, hướng dẫn đo kiểm và cung cấp linh kiện chính hãng kèm CO/CQ.

Để nhận tư vấn kỹ thuật và báo giá, vui lòng gửi yêu cầu tại trang Gửi RFQ hoặc liên hệ info@bkitec.com.