Giới thiệu về Transistor

Transistor (bóng bán dẫn) là linh kiện nền tảng của mọi hệ thống điện tử hiện đại. Nhờ khả năng khuếch đại tín hiệu và đóng cắt (chuyển mạch) nhanh, transistor hiện diện từ thiết bị gia dụng, thiết bị âm thanh, máy tính, viễn thông đến các hệ thống công nghiệp và năng lượng.

Về cấu tạo, transistor được chế tạo từ vật liệu bán dẫn (thường là silicon), được phân loại phổ biến thành BJT (NPN/PNP), MOSFET và IGBT. Mỗi dòng có ưu điểm riêng: BJT thích hợp khuếch đại tín hiệu tương tự; MOSFET có trở kháng cổng cao, đóng cắt nhanh, tổn hao thấp; IGBT kết hợp điều khiển nhẹ của MOSFET với khả năng chịu dòng/áp lớn như BJT, phù hợp ứng dụng công suất cao (inverter, UPS, truyền động động cơ).

Nhờ sự linh hoạt về thông số (dòng, áp, tốc độ chuyển mạch, công suất tiêu tán) và chi phí hợp lý, transistor là “trái tim” của hầu hết mạch điện tử. Việc lựa chọn đúng chủng loại và tham số giúp tăng độ bền, hiệu suất và an toàn cho thiết bị.

⚡ Transistor – Nguyên lý hoạt động, phân cực và các rủi ro thường gặp

1. BJT (Bipolar Junction Transistor)

Nguyên lý hoạt động:
Dòng nhỏ tại cực Base (B) điều khiển dòng lớn chạy từ Collector (C) sang Emitter (E). Để transistor dẫn bão hòa, cần phân cực thuận cho mối nối BE (V_BE ≈ 0,7V với Si) và phân cực ngược cho mối nối BC.

Điều kiện phân cực:

• Khuếch đại: BE thuận, BC ngược.
• Bão hòa: BE thuận, BC thuận.
• Ngắt: BE ngược, không có dòng IC.

Nguy cơ phá hủy:

• Quá áp BE/BC → đánh thủng mối nối.
• Quá dòng IC → quá nhiệt, hỏng tiếp giáp.
• Hiện tượng thermal runaway nếu công suất tiêu tán vượt mức.

2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)

Nguyên lý hoạt động:
Điện áp Gate-Source (V_GS) điều khiển kênh dẫn giữa Drain (D) và Source (S). Khi V_GS vượt ngưỡng V_th, kênh dẫn hình thành và dòng ID chạy qua.

Điều kiện phân cực:

• Ngắt: V_GS < V_th.
• Khuếch đại: V_GS > V_th và V_DS đủ lớn.
• Ohmic: V_DS nhỏ, hoạt động như điện trở R_DS(on).

Nguy cơ phá hủy:

• ESD → thủng lớp oxit cổng.
• Quá áp V_DS → avalanche breakdown.
• Quá dòng ID → nóng chảy kênh dẫn.
• Quá nhiệt → tăng R_DS(on), gây thermal runaway.

3. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Nguyên lý hoạt động:
IGBT kết hợp ưu điểm của MOSFET (điện áp điều khiển nhỏ, trở kháng cao) và BJT (khả năng dẫn dòng lớn). Điều khiển bằng V_GE, dòng IC có đặc tính giống BJT, phù hợp ứng dụng công suất cao.

Điều kiện phân cực:

• V_GE > V_th → dẫn dòng.
• V_GE < V_th → ngắt dòng.

Nguy cơ phá hủy:

• Latch-up khi vượt dòng giới hạn.
• Quá áp V_CE → đánh thủng collector-emitter.
• Quá nhiệt khi tải cảm phóng năng lượng.
• Vi phạm SOA (Safe Operating Area) → hỏng tức thì.

4. Biện pháp bảo vệ transistor

• Dùng diode kẹp (flyback) khi tải cảm.
• Mạch snubber RC/RCD hạn chế quá áp khi chuyển mạch.
• Cầu chì/khóa bảo vệ dòng.
• Tản nhiệt: heatsink, quạt, pad nhiệt.
• Bảo vệ ESD bằng TVS diode hoặc zener kẹp.

5. Transistor chính hãng tại BKITEC

BKITEC phân phối đa dạng transistor từ các hãng uy tín: ON Semiconductor, Infineon, Toshiba, Texas Instruments, Nexperia...

• Hàng nhập khẩu chính ngạch, đầy đủ chứng từ CO/CQ.
• Đa dạng BJT, MOSFET, IGBT đáp ứng nhu cầu từ nghiên cứu đến sản xuất công nghiệp.
• Tư vấn kỹ thuật và hỗ trợ chọn linh kiện theo từng ứng dụng.

BKITEC cung cấp transistor chính hãng

• Đa dạng chủng loại: BJT nhỏ tín hiệu, MOSFET công suất, IGBT module.
• Hàng nhập khẩu chính ngạch, đầy đủ chứng từ CO/CQ; tư vấn kỹ thuật chọn linh kiện theo ứng dụng.
• Giao hàng toàn quốc, hỗ trợ báo giá nhanh cho dự án và sản xuất.

---

Liên hệ BKITEC: Email: info@bkitec.com – Hotline/Zalo: 0769 644 467 – Website: https://bkitec.com

---

✍Kết luận:
Transistor là linh kiện nền tảng trong điện tử hiện đại. Hiểu rõ nguyên lý, điều kiện phân cực và các nguy cơ phá hủy giúp kỹ sư lựa chọn và sử dụng hiệu quả. BKITEC cam kết cung cấp transistor chính hãng – nhập khẩu chính ngạch, sẵn sàng đồng hành cùng khách hàng trong mọi dự án.